Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияСиловой модуль БТИЗ

IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Оставьте нам сообщение

IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single
IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Большие изображения :  IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

описание
Номер детали: IHY30N160R2XKSA1 Изготовитель: Технологии Infineon
Описание: IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3 Категория: Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья: Транзисторы - IGBTs - одиночные Серия: TrenchStop®

IHY30N160R2XKSA1 Specifications

Part Status Obsolete
IGBT Type NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1600V
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Power - Max 312W
Switching Energy 2.53mJ
Input Type Standard
Gate Charge 94nC
Td (on/off) @ 25°C -/525ns
Test Condition 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3 Variant
Supplier Device Package PG-TO247HC-3
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

IHY30N160R2XKSA1 Packaging

Detection

IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 0IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 1IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 2IHY30N160R2XKSA1 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)