Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияСиловой модуль БТИЗ

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Оставьте нам сообщение

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single
IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Большие изображения :  IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

описание
Номер детали: IRG8CH29K10D Изготовитель: Технологии Infineon
Описание: IGBT 1200V УЛЬТРА ГОЛОДАЮТ УМИРАЮТ Категория: Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья: Транзисторы - IGBTs - одиночные Серия: *

IRG8CH29K10D Specifications

Part Status Obsolete
IGBT Type -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) -
Current - Collector (Ic) (Max) -
Current - Collector Pulsed (Icm) -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic -
Power - Max -
Switching Energy -
Input Type -
Gate Charge -
Td (on/off) @ 25°C -
Test Condition -
Reverse Recovery Time (trr) -
Operating Temperature -
Mounting Type -
Package / Case -
Supplier Device Package -
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

IRG8CH29K10D Packaging

Detection

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 0IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 1IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 2IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)