Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти

MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR

Оставьте нам сообщение

MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR

MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR
MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR

Большие изображения :  MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR

описание
Номер детали: MT29F2G08ABAEAWP: E TR Изготовитель: Микрон Технология Inc.
Описание: ВСПЫШКА 2GBIT 48TSOP IC Категория: Память
Семья: Память

MT29F2G08ABAEAWP: Спецификации e TR

Состояние части Активный
Формат памяти ВСПЫШКА
Тип памяти Слаболетучий
Размер запоминающего устройства 2Gb (256M x 8)
Скорость -
Интерфейс Параллельный
Напряжение тока - поставка 2,7 V | 3,6 V
Рабочая температура 0°C | 70°C (ЖИВОТИКИ)
Пакет/случай 48-TFSOP (0,724", ширина 18.40mm)
Пакет прибора поставщика 48-TSOP I
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

MT29F2G08ABAEAWP: Упаковка e TR

Обнаружение

MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR 0MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR 1MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR 2MT29F2G08ABAEAWP: Обломок IC памяти e TR 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты