Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияСиловой модуль БТИЗ

STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Оставьте нам сообщение

STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single
STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Большие изображения :  STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

описание
Номер детали: STGP10NB60SD Изготовитель: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 29A 80W TO220 Категория: Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья: Транзисторы - IGBTs - одиночные Серия: PowerMESH™

STGP10NB60SD Specifications

Part Status Active
IGBT Type -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 29A
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A
Power - Max 80W
Switching Energy 600µJ (on), 5mJ (off)
Input Type Standard
Gate Charge 33nC
Td (on/off) @ 25°C 700ns/1.2µs
Test Condition 480V, 10A, 1 kOhm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 37ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

STGP10NB60SD Packaging

Detection

STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 0STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 1STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 2STGP10NB60SD IGBT Power Module Transistors IGBTs Single 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)