Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти

MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d

Оставьте нам сообщение

MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d

MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d
MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d

Большие изображения :  MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d

описание
Номер детали: MT29E128G08CECDBJ4-6: D Изготовитель: Микрон Технология Inc.
Описание: ВСПЫШКА 128GBIT 132VBGA IC Категория: Память
Семья: Память

MT29E128G08CECDBJ4-6: Спецификации d

Состояние части Устарелый
Формат памяти ВСПЫШКА
Тип памяти ВСПЫШКА - NAND
Размер запоминающего устройства 128G (16G x 8)
Скорость -
Интерфейс Параллельный
Напряжение тока - поставка 2,7 V | 3,6 V
Рабочая температура 0°C | 70°C (ЖИВОТИКИ)
Пакет/случай 132-VBGA
Пакет прибора поставщика 132-VBGA (12x18)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

MT29E128G08CECDBJ4-6: Упаковка d

Обнаружение

MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d 0MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d 1MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d 2MT29E128G08CECDBJ4-6: Обломок IC памяти d 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты