Отправить сообщение
Оставьте нам сообщение

Обломок IC памяти AS4C256M16D3-12BANTR

Обломок IC памяти AS4C256M16D3-12BANTR
Обломок IC памяти AS4C256M16D3-12BANTR

Большие изображения :  Обломок IC памяти AS4C256M16D3-12BANTR

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

Обломок IC памяти AS4C256M16D3-12BANTR

описание
Номер детали: AS4C256M16D3-12BANTR Изготовитель: Союзничество Память, Inc.
Описание: IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96BGA Категория: Память
Семья: Память Серия: Автомобильный, AEC-Q100

Спецификации AS4C256M16D3-12BANTR

Состояние части Прерыванный на Digi-ключе
Формат памяти ДРАХМА
Тип памяти Испаряющий
Размер запоминающего устройства 4Gb (256M x 16)
Скорость 800MHz
Интерфейс Параллельный
Напряжение тока - поставка 1,425 V | 1,575 V
Рабочая температура -40°C | 105°C (TC)
Пакет/случай 96-TFBGA
Пакет прибора поставщика 96-FBGA (13x9)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка AS4C256M16D3-12BANTR

Обнаружение

Обломок IC памяти AS4C256M16D3-12BANTR 0Обломок IC памяти AS4C256M16D3-12BANTR 1Обломок IC памяти AS4C256M16D3-12BANTR 2Обломок IC памяти AS4C256M16D3-12BANTR 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты