Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

Оставьте нам сообщение

BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

Большие изображения :  BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

описание
Номер детали: BLF573S, 112 Изготовитель: Ampleon США Inc.
Описание: FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B RF Категория: Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Семья: Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF

BLF573S, 112 спецификации

Состояние части Активный
Тип транзистора LDMOS
Частота 225MHz
Увеличение 27.2dB
Напряжение тока - тест 50V
Настоящая оценка 42A
Диаграмма шума -
Настоящий - тест 900mA
Сила - выход 300W
Расклассифицированное напряжение тока - 110V
Пакет/случай SOT-502B
Пакет прибора поставщика SOT502B
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

BLF573S, 112 упаковывая

Обнаружение

BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 0BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 1BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты