Отправить сообщение
english français Deutsch Italiano русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Домой
продукты
производителей
О нас
Ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Домой>продукты>

fet field effect transistor

Фильтры
Категории
Фильтры

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5001)

Полевой транзистор

(1839)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)
Keywords   [ fet field effect transistor ]  Match 1597 продукты.
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети

Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264
AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel

AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel
AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P

AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P
FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS

FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS
Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная

Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4
ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети

Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264
AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel

AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel
AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P

AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P
FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS

FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS
Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная

Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3520K3

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3520K3
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3521M4

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3521M4
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3202PD одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3202PD одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3202PS одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3202PS одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3206LDGB одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3206LDGB одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3208LDG одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3208LDG одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3212PS одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля TPH3212PS одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT2750NYTB одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT2750NYTB одиночные
TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
TPHR9203PL, MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля L1Q одиночные

TPHR9203PL, MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля L1Q одиночные
TPH2R506PL, MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля L1Q одиночные

TPH2R506PL, MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля L1Q одиночные
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CAS300M12BM2

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CAS300M12BM2
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF6150

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF6150
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF6156

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF6156
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF8G20LS-400PVU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF8G20LS-400PVU
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF644PU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF644PU
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF8G20LS-400PGVJ

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF8G20LS-400PGVJ
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF184XRSU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF184XRSU
BLF879PS, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF879PS, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF8G09LS-400PGWQ

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF8G09LS-400PGWQ
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF2324M8LS200PU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF2324M8LS200PU
BLF574XRS, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF574XRS, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLC8G22LS-450AVY

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLC8G22LS-450AVY
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLC2425M8LS300PZ

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLC2425M8LS300PZ
BLF888B, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF888B, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF188XRGJ

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF188XRGJ
BLF2425M7L250P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF2425M7L250P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF6G13LS-250P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF6G13LS-250P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF0910H6LS500U

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF0910H6LS500U
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF888DSU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF888DSU
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035-100,112
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF888EU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF888EU
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035S-100,112

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035S-100,112
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF1721M8LS200U

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF1721M8LS200U
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF888ESU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF888ESU
BLS7G3135L-350P, обломок RF 11 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLS7G3135L-350P, обломок RF 11 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035S-100PU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0035S-100PU
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLC8G27LS-100AVY

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLC8G27LS-100AVY
BLF8G27LS-140V, обломок RF 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF8G27LS-140V, обломок RF 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF9G20LS-160VJ

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF9G20LS-160VJ
1 2 3 4 5 6 7 8
Свяжитесь с нами
Адрес: ST MONGKOKKL КОРОЛЯ COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO
Электронная почта: Vicky@kz-chipforum.com
Телефон: 86--15218629016
продукты

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Сетноой-аналогов амортизатор IC

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

Полевой транзистор

Силовой модуль БТИЗ

Триод диода

Общецелевой конденсатор

Connectors Interconnects

Индуктор силы SMD
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Качество Китая хорошее Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 integratedcircuitsics.com . Все права Зарезервированный.