Отправить сообщение
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean Arabic Hindi Turkish Indonesian Vietnamese Thai Bengali Persian Polish
Домой
продукты
производителей
О нас
Ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Домой > продукты > Полевой транзистор
Фильтры
Фильтры

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5001)

Полевой транзистор

(1839)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)

Полевой транзистор

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C
Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети
Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные
Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet

Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet
BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля

BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля
Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети

Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети
Транзисторы FET тиристоров диодов Mosfet канала AO3611 5A/6A 8DFN 30v n

Транзисторы FET тиристоров диодов Mosfet канала AO3611 5A/6A 8DFN 30v n
МАССИВ ДИОДА ТВ ЕМКОСТИ транзисторов и тиристоров диодов AOZ8902CIL УЛЬТРА НИЗКИЙ

МАССИВ ДИОДА ТВ ЕМКОСТИ транзисторов и тиристоров диодов AOZ8902CIL УЛЬТРА НИЗКИЙ
ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасызапрос предложений
N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C
Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети
Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные
Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet

Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet
BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля

BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля
Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети

Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети
Транзисторы FET тиристоров диодов Mosfet канала AO3611 5A/6A 8DFN 30v n

Транзисторы FET тиристоров диодов Mosfet канала AO3611 5A/6A 8DFN 30v n
МАССИВ ДИОДА ТВ ЕМКОСТИ транзисторов и тиристоров диодов AOZ8902CIL УЛЬТРА НИЗКИЙ

МАССИВ ДИОДА ТВ ЕМКОСТИ транзисторов и тиристоров диодов AOZ8902CIL УЛЬТРА НИЗКИЙ
Канал 30V Mosfet n транзистора влияния поля FET AOSS32338C

Канал 30V Mosfet n транзистора влияния поля FET AOSS32338C
Транзисторы 6TSOP транзистора FET Mosfet канала AOTS21311C 5.9A 30V p

Транзисторы 6TSOP транзистора FET Mosfet канала AOTS21311C 5.9A 30V p
Mosfet канала AO3404 30V n Тип Mosfet повышения канала Mosfet n силы

Mosfet канала AO3404 30V n Тип Mosfet повышения канала Mosfet n силы
AOZ1280CI AOZ1280CI Транзистор 0.8V Mosfet канала n к 26V 1.2A

AOZ1280CI AOZ1280CI Транзистор 0.8V Mosfet канала n к 26V 1.2A
Mosfet канала тиристоров 0.9A 20V n диодов транзистора влияния поля AO7800

Mosfet канала тиристоров 0.9A 20V n диодов транзистора влияния поля AO7800
Канал 30V 6.2A Mosfet n транзистора влияния поля Mos AOSS32334C

Канал 30V 6.2A Mosfet n транзистора влияния поля Mos AOSS32334C
Fets канала 30V 5.7A SOT-23 Mosfet n AO3400A одиночные для бытовых приборов

Fets канала 30V 5.7A SOT-23 Mosfet n AO3400A одиночные для бытовых приборов
Канал 30V 1.4A SC70-3 Mosfet p силы транзистора влияния поля AO7401

Канал 30V 1.4A SC70-3 Mosfet p силы транзистора влияния поля AO7401
Mosfet Mosfet канала n транзистора влияния поля AO6604 и канала p

Mosfet Mosfet канала n транзистора влияния поля AO6604 и канала p
Транзистор 6-TSOP FET 6A Mosfet p канала 30V AO6403 p одиночный

Транзистор 6-TSOP FET 6A Mosfet p канала 30V AO6403 p одиночный
Mosfet 30V 2.6A SOT23 канала p транзистора влияния поля металлической окиси AO3403

Mosfet 30V 2.6A SOT23 канала p транзистора влияния поля металлической окиси AO3403
Mosfet канала тиристоров 6A 20V n диодов транзистора влияния поля AO3420

Mosfet канала тиристоров 6A 20V n диодов транзистора влияния поля AO3420
AO3416 Mosfet Sot23 канала n транзистора тиристора диодов Mosfet SOT23

AO3416 Mosfet Sot23 канала n транзистора тиристора диодов Mosfet SOT23
Mosfet канала FET SOT23 n транзистора влияния поля AO3160

Mosfet канала FET SOT23 n транзистора влияния поля AO3160
FETs канала 30V 4A SOT23 Mosfet p AO3401A одиночные для 3C цифров

FETs канала 30V 4A SOT23 Mosfet p AO3401A одиночные для 3C цифров
Инфракрасн Mosfet канала транзистора влияния поля 60V IRFB3206PBF одиночное n

Инфракрасн Mosfet канала транзистора влияния поля 60V IRFB3206PBF одиночное n
Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения

Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения
AO3480 Field Effect Transistor N Mosfet Transistor 30V 5.7A SOT23

AO3480 Field Effect Transistor N Mosfet Transistor 30V 5.7A SOT23
Mosfet 30V канала транзистора влияния поля SOT-23 AO3434A n

Mosfet 30V канала транзистора влияния поля SOT-23 AO3434A n
Канал 30V 4A SOT23 FET n транзистора Mosfet диаграммы AO3402 одиночный

Канал 30V 4A SOT23 FET n транзистора Mosfet диаграммы AO3402 одиночный
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3407A

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3407A
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO6802

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO6802
Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная

Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная
AO7405 Field Effect Transistor Diodes Thyristors FET Transistors MOSFETs P-CH 30V 1.4A SC70-6

AO7405 Field Effect Transistor Diodes Thyristors FET Transistors MOSFETs P-CH 30V 1.4A SC70-6
MOSFETs N-CH 30V 3.6A SOT23 транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3406

MOSFETs N-CH 30V 3.6A SOT23 транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3406
MOSFETs P-CH 30V 5A 6TSOP транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO6405

MOSFETs P-CH 30V 5A 6TSOP транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO6405
MOSFETs N-CH 20V 6.5A SOT23 транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3416

MOSFETs N-CH 20V 6.5A SOT23 транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3416
MOSFETs N-CH 30V 5A 6TSOP транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния AO6424Field

MOSFETs N-CH 30V 5A 6TSOP транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния AO6424Field
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IXFH80N65X2 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IXFH80N65X2 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW40N60M2 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW40N60M2 одиночные
Mosfets 30v2.6a транзисторов Fet тиристоров диодов транзистора влияния поля AOSN21319C

Mosfets 30v2.6a транзисторов Fet тиристоров диодов транзистора влияния поля AOSN21319C
Транзисторы AO3418 Fets приводят Mosfets в действие направляют N-одиночные регуляторы переключения dc dc 30v3.8a

Транзисторы AO3418 Fets приводят Mosfets в действие направляют N-одиночные регуляторы переключения dc dc 30v3.8a
MOSFETs P-CH 20V 4A транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3415

MOSFETs P-CH 20V 4A транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3415
MOSFETs P-CH 20V 2A SOT23 транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3423

MOSFETs P-CH 20V 2A SOT23 транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3423
MOSFETs N-CH 55V2.1A транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3422

MOSFETs N-CH 55V2.1A транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3422
MOSFETs N-CH 100V1A транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3442

MOSFETs N-CH 100V1A транзисторов FET тиристоров диодов транзистора влияния поля AO3442
N-канал 600В, 0.065 Ω, 40A Мощность MOSFET в пакете TO-247 STW48N60DM2 Транзистор с эффектом поля

N-канал 600В, 0.065 Ω, 40A Мощность MOSFET в пакете TO-247 STW48N60DM2 Транзистор с эффектом поля
AO4407A P-CHANNEL 12A MOSFET оригинальный на складе 10PCS Транзистор с эффектом поля 4407A

AO4407A P-CHANNEL 12A MOSFET оригинальный на складе 10PCS Транзистор с эффектом поля 4407A
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
1 2 3 4 5
Свяжитесь с нами
Адрес: ST MONGKOKKL КОРОЛЯ COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO
Электронная почта: Vicky@kz-chipforum.com
Телефон: 86--15218629016
продукты

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Сетноой-аналогов амортизатор IC

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

Полевой транзистор

Силовой модуль БТИЗ

Триод диода

Общецелевой конденсатор

Connectors Interconnects

Индуктор силы SMD
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Качество Китая хорошее Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2024 integratedcircuitsics.com . Все права Зарезервированный.