Отправить сообщение
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

Все продукты

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5000)

Полевой транзистор

(1837)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)
Оставьте нам сообщение

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

Большие изображения :  AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

Подробная информация о продукте:
Фирменное наименование: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Номер модели: AO4266E
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Подлежит обсуждению
Цена: Negotiable
Время доставки: Подлежит обсуждению
Условия оплаты: T/T, D/P, D/A, L/C, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: Доступное количество 51208 шт.
контакт

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

описание
Модель продукта: AO4266E Пакет поставщика: SOP8
Краткое описание: MOSFET Категория продукта: КОМПАРАТОР IC
Зоны применения: Врезанные регуляторы процессоров Дата изготовления: В пределах года
Высокий свет:

AO4266E

,

AO4266E Транзистор с эффектом поля

,

Транзистор влияния поля N-канала

  • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

  • Описание: MOSFET транзистор N канал 60V13.5A Мосфет поверхностный монтаж SOP8 4264

  • Категория: Дискритетные полупроводниковые изделия

  • Семейство: транзисторы - FET, MOSFET - одиночные

  •  

    Спецификации

    Серия
    AlphaSGTTM
    Пакет
    Лента и катушка (TR)
    Статус части
    Активный
    Тип FET
    N-канал
    Технологии
    MOSFET (оксид металла)
    Напряжение отхода к источнику (Vdss)
    60 В
    Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C
    11А (Ta)
    Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)
    4.5В, 10В
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5mOhm @ 11A, 10В
    Vgs(th) (макс.) @ Id
    2.2В @ 250μA
    Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs
    10 nC @ 4,5 В
    Vgs (макс.)
    ± 20 В
    Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    755 pF @ 30 В
    Функция FET
    -
    Рассеивание энергии (макс.)
    3.1W (Ta)
    Операционная температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип установки
    Поверхностный монтаж
    Пакет изделий поставщика
    8-SO
    Пакет / чемодан
    8-SOIC (0,154", 3,90 мм ширины)
    Перевозка
    UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
    Состояние
    Новая оригинальная фабрика.
     
     
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 0
Процесс заказа
Добавить части в форму RFQ Отправить RFQ Мы ответим в течение 24 часов.
Вы подтвердите заказ. Оплата Отправьте заказ.

 

 БольшеМикроконтроллеры Модели микросхем
ISO7720FQDRQ1 STWA12N120K5 XPT2046 TPS82130SIL
NCV4274AST33T3G TRS3122ERGER KSZ8081RNACA TPS25961DRVR
2SK3878 SN74ALVC164245DLR TLC7528CDWR PIC16F18854-I/SP
TNY268PN CSD95480RWJ HEF4538BT SAK-TC399XP-256F300S
74HCT245D LMX2592RHAT NCP1593BMNTWG LTC3780EG
MC9S08QE8CLC A4970SLBTR-T LPC54S018J4MET180E SAK-TC223S-16F133FAC
TMS320C6416EGLZA6E3 VIPER06LSTR BCM53346A0KFSBLG SN74LVC1G126DCKR
QCA9531-BL3A SN751178NSR PCF7926ATT/C1AC0700 L293DD013TR
TJA1044GTK/3 DRV8848PWPR TPS3823-33QDBVRQ1 ADM7172ACPZ-R7
LM555CN/NOPB CAT811STBI-GT3 PIC12C508A-04I/P BSC060N10NS3G
INA237AIDGSR EP4CE30F29C8N EP5382QI TPA2005D1DGNR
AUIRF5210STRL IPB025N10N3G TDA7297 МРТ2МРТ2МРТ2МРТ2МРТ2МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МРТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4
Диаграмма чипа
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 1AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 2AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 3AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 4

Отзывы

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

  1. AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 5
    Саманта Смит
    Заказанные электронные компоненты прибыли вовремя и в отличном состоянии. Я впечатлен качеством продукции и уровнем обслуживания, оказанным продавцом.
    27 мая 2018 года
  1. AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 6
    Адам Тейлор
    Я настоятельно рекомендую этот продавец всем, кто хочет купить электронные компоненты. Цены конкурентоспособны, а доставка была быстрой и эффективной.Продукты, которые я получил, были точно такими, как описано., и я очень доволен своей покупкой.
    16 апреля 2019 года

 

  1. AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 7
    Хелена Гарсия
    Я очень доволен электронными компонентами, которые я получил от этого продавца.Продавец также был очень полезен, отвечая на мои вопросы и помогая мне с покупкойЯ обязательно куплю у них снова в будущем.
    2 января 2020 года

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8 8

Описание

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Приобретение

Вы можете разместить заказ без регистрации на integratedcircuitsics.com.
Мы настоятельно рекомендуем вам зарегистрироваться перед покупкой, так как вы можете отслеживать заказ в режиме реального времени.

Средства оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

RFQ (запрос о ценах)

Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и запасы по части.
Наши продавцы ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

Важное уведомление

1. Вы получите информацию о заказе по электронной почте в своем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забывайте проверить папку спама, если вы не слышали от нас).
2Поскольку запасы и цены могут колебаться в некоторой степени, менеджер по продажам подтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.

тег:

Транзистор влияния поля FET,

Транзистор Mosfet силы,

Транзистор влияния поля обломока 75VPower Mosfet

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

Модель продукта: AOSS32136C

Пакет поставщика: СОТ-23

Краткое описание: MOSFET N-CH 20V6.5A 3-Pin SOT-23

Категория продукта: Полевые транзисторы - Single
Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Модель продукта: IRFB4110PBF

Пакет поставщика: ТО-220-3

Краткое описание: МОП-транзистор

Категория продукта: Полевой транзистор
Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Модель продукта: IRFS3207ZTRRPBF

Пакет поставщика: TO-263-3

Краткое описание: МОП-транзистор

Полярность транзистора: N-канал
Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Модель продукта: IPD060N03LGATMA1

Пакет поставщика: TO-252-3

Краткое описание: MOSFET N-CH 30V 50A

Категория продукта: FETs - одиночные
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Модель продукта: IRF8736TRPBF

Пакет поставщика: SOIC-8

Краткое описание: MOSFET MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC

Категория продукта: Полевые транзисторы - Single
около

Интегральные микросхемы

Цепь 48TQFP CY7C65632-48AXC USB ICS интегральных схема полупроводника Cypress монолитовая

Обломок датчика уровня горючего TI BQ20Z65DBTR-R1 ICS интегральных схема управления батареи

Инфракрасн IR2110STRPBF водителей регуляторов зажигания ICs интегральных схема SMD/SMT

Микроконтроллеры STM32F405RGT6 и врезанная ВСПЫШКА St 1024 процессоров MCU

STM32F407VET6 интегральные схемаы ICs

MCU врезало процессоры & регуляторы STM32F103RCT6

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший качество Интегральные микросхемы поставщик. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.