logo
Отправить сообщение
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Домой
продукты
производителей
О нас
Ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Домой>продукты>

fet field effect transistor

Фильтры
Категории
Фильтры

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5001)

Полевой транзистор

(1839)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)
Keywords   [ fet field effect transistor ]  Match 1597 продукты.
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети

Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264
AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel

AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel
AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P

AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P
FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS

FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS
Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная

Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4
ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SD56120

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SD56120
BLF647PS, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF647PS, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF888DU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF888DU
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV22200F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV22200F
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514L-130U

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514L-130U
(TE85L, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK294

(TE85L, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK294
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57030S-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57030S-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55008-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55008-E
BLF6G10LS-200RN, обломок RF 11 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF6G10LS-200RN, обломок RF 11 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF6G38LS-50,118

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF6G38LS-50,118
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF6G38LS-50,112

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF6G38LS-50,112
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SD57060-01

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SD57060-01
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85025TR-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85025TR-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF476FL

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF476FL
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SD57060-10

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SD57060-10
BLF2425M7LS250P, обломок RF 11 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF2425M7LS250P, обломок RF 11 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF884PS, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF884PS, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514-25U

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514-25U
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV27200F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV27200F
BLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

BLF178P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H1214L-250U

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H1214L-250U
BLA6G1011L-200RG, 1 обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLA6G1011L-200RG, 1 обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLA6G1011-200R, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLA6G1011-200R, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD84006L-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD84006L-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85015-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85015-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85035-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85035-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55035-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55035-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55025-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55025-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV27100F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV27100F
BLF881S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF881S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55025S-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55025S-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF7G10LS-250,118

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF7G10LS-250,118
BLF871S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF871S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514LS-130U

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514LS-130U
BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF573S, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLS6G2731-120,112

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLS6G2731-120,112
BLF578XR, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF578XR, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF879P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF879P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL6H0514LS-130,11

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL6H0514LS-130,11
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40090PP

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40090PP
BLA6G1011LS-200RG, обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLA6G1011LS-200RG, обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40180PP

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40180PP
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLA6H0912L-1000U

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLA6H0912L-1000U
CGHV14500F Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

CGHV14500F Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV96100F2

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV96100F2
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV35400F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV35400F
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV96050F2

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV96050F2
CGHV40100F Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

CGHV40100F Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF7G27L-100,112

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF7G27L-100,112
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF7G27L-100,118

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF7G27L-100,118
1 2 3 4 5 6 7 8
Свяжитесь с нами
Адрес: ST MONGKOKKL КОРОЛЯ COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO
Электронная почта: Vicky@kz-chipforum.com
Телефон: 86--15218629016
продукты

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Сетноой-аналогов амортизатор IC

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

Полевой транзистор

Силовой модуль БТИЗ

Триод диода

Общецелевой конденсатор

Connectors Interconnects

Индуктор силы SMD
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Качество Китая хорошее Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 integratedcircuitsics.com . Все права Зарезервированный.