logo
Отправить сообщение
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Домой
продукты
производителей
О нас
Ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Домой>продукты>

fet field effect transistor

Фильтры
Категории
Фильтры

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5001)

Полевой транзистор

(1839)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)
Keywords   [ fet field effect transistor ]  Match 1597 продукты.
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети

Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264
AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel

AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel
AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P

AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P
FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS

FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS
Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная

Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4
ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
BLF7G27L-75P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF7G27L-75P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA081501E1V4R250XTMA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA081501E1V4R250XTMA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA080551EV4T500XWSA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA080551EV4T500XWSA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA081501E1V4T500XWSA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA081501E1V4T500XWSA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTAB182002TCV2XWSA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTAB182002TCV2XWSA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA211801EV5T350XWSA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA211801EV5T350XWSA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTRA093302DC V1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTRA093302DC V1
PTRA093302DC V1 R250 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

PTRA093302DC V1 R250 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA192001EV4T350XWSA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA192001EV4T350XWSA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA081501E1V4XWSA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA081501E1V4XWSA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTRA093302DCV1R0XTMA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTRA093302DCV1R0XTMA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTVA093002TCV1XWSA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTVA093002TCV1XWSA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTRA093302DCV1R2XTMA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTRA093302DCV1R2XTMA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA092213ELV4T400XWSA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTFA092213ELV4T400XWSA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTVA093002TCV1R250XTMA1

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PTVA093002TCV1R250XTMA1
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57006-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57006-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57018-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57018-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57002-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57002-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP27M810Z

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP27M810Z
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD20010-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD20010-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57030-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57030-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF171A

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF171A
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP7G22-10Z

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP7G22-10Z
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40120F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40120F
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85004

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85004
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF160

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF160
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55003-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD55003-E
BLF6G21-10G, обломок RF 135 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF6G21-10G, обломок RF 135 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF640U

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF640U
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP10H610AZ

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLP10H610AZ
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLM7G1822S-40PBGY

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLM7G1822S-40PBGY
BLF6G27-10G, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF6G27-10G, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40006S

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40006S
BLF6G27-10G, обломок RF 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF6G27-10G, обломок RF 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF6G21-10G, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF6G21-10G, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF136

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF136
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1F006S

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1F006S
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF148A

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF148A
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF166C

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MRF166C
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1F025S

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1F025S
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57060S-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57060S-E
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH55015F2

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH55015F2
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0060-10U

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CLF1G0060-10U
BLF183XRU Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

BLF183XRU Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
BLF884P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF884P, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF184XRU

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF184XRU
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40010F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH40010F
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH55030F2

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH55030F2
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57060-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD57060-E
BLF574XR, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BLF574XR, обломок RF 112 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
1 2 3 4 5 6 7 8
Свяжитесь с нами
Адрес: ST MONGKOKKL КОРОЛЯ COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO
Электронная почта: Vicky@kz-chipforum.com
Телефон: 86--15218629016
продукты

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Сетноой-аналогов амортизатор IC

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

Полевой транзистор

Силовой модуль БТИЗ

Триод диода

Общецелевой конденсатор

Connectors Interconnects

Индуктор силы SMD
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Качество Китая хорошее Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 integratedcircuitsics.com . Все права Зарезервированный.