Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00

Оставьте нам сообщение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00

Большие изображения :  Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00

описание
Номер детали: MAPG-002729-350L00 Изготовитель: Решения технологии M/A-Com
Описание: ТРАНЗИСТОР RF 350W GAN Категория: Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Семья: Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF

Спецификации MAPG-002729-350L00

Состояние части Устарелый
Тип транзистора -
Частота 2.7GHz | 2.9GHz
Увеличение 11.5dB
Напряжение тока - тест 50V
Настоящая оценка 10A
Диаграмма шума -
Настоящий - тест 500mA
Сила - выход 400W
Расклассифицированное напряжение тока - 55V
Пакет/случай -
Пакет прибора поставщика -
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка MAPG-002729-350L00

Обнаружение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00 0Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00 1Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00 2Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MAPG-002729-350L00 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты