Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные

Оставьте нам сообщение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные

Большие изображения :  MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Могущий быть предметом переговоров
Цена: Negotiable
Время доставки: Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: 100000

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные

описание
Номер детали: STB76NF80 Изготовитель: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Категория: Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья: Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные Серия: STripFET™ II

Спецификации STB76NF80

Состояние части Устарелый
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 80V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 80A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) -
Id Vgs (th) (Макс) @ 4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 160nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 3700pF @ 25V
Vgs (Макс) -
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 300W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 11 mOhm @ 40A, 10V
Рабочая температура -55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика D2PAK
Пакет/случай TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка STB76NF80

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные 0MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные 1MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные 2MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB76NF80 одиночные 3

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты