|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер детали: | SI7102DN-T1-E3 | Изготовитель: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Описание: | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Категория: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные |
| Семья: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные | Серия: | TrenchFET® |
| Состояние части | Активный |
|---|---|
| Тип FET | N-канал |
| Технология | MOSFET (металлическая окись) |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 12V |
| Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | - |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 1V @ 250µA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 110nC @ 8V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 3720pF @ 6V |
| Vgs (Макс) | ±8V |
| Особенность FET | - |
| Диссипация силы (Макс) | 3.8W (животики), 52W (Tc) |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | 3,8 mOhm @ 15A, 4.5V |
| Рабочая температура | -50°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
| Пакет прибора поставщика | PowerPAK® 1212-8 |
| Пакет/случай | PowerPAK® 1212-8 |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Контактное лицо: Darek
Телефон: +8615017926135
