Транзисторы IGBTs модуля силы STGWA80H65DFB IGBT одиночное
Категория:
Силовой модуль БТИЗ
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Описание:
IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Номер детали:
STGWA80H65DFB
Изготовитель:
STMicroelectronics
Категория:
Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья:
Транзисторы - IGBTs - одиночные
Введение
Спецификации STGWA80H65DFB
| Состояние части | Активный |
|---|---|
| Тип IGBT | Диафрагма поля зрения канавы |
| Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) | 650V |
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс) | 120A |
| Настоящий - пульсированный сборник (Icm) | 240A |
| Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Сила - Макс | 469W |
| Переключая энергия | 2.1mJ (дальше), 1.5mJ () |
| Тип входного сигнала | Стандарт |
| Обязанность ворот | 414nC |
| Td (включено-выключено) @ 25°C | 84ns/280ns |
| Условие испытаний | 400V, 80A, 10 омов, 15V |
| Обратное время восстановления (trr) | 85ns |
| Рабочая температура | -55°C | 175°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Через отверстие |
| Пакет/случай | TO-247-3 |
| Пакет прибора поставщика | TO-247 длиной водит |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Упаковка STGWA80H65DFB
Обнаружение
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable