Транзисторы IGBTs модуля силы STGD5NB120SZ-1 IGBT одиночное
Категория:
Силовой модуль БТИЗ
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
STGD5NB120SZ-1
Изготовитель:
STMicroelectronics
Описание:
IGBT 1200V 10A 75W IPAK
Категория:
Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья:
Транзисторы - IGBTs - одиночные
Серия:
PowerMESH™
Введение
Спецификации STGD5NB120SZ-1
| Состояние части | Активный |
|---|---|
| Тип IGBT | - |
| Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) | 1200V |
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс) | 10A |
| Настоящий - пульсированный сборник (Icm) | 10A |
| Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Сила - Макс | 75W |
| Переключая энергия | 2.59mJ (дальше), 9mJ () |
| Тип входного сигнала | Стандарт |
| Обязанность ворот | - |
| Td (включено-выключено) @ 25°C | 690ns/12.1µs |
| Условие испытаний | 960V, 5A, 1 kOhm, 15V |
| Обратное время восстановления (trr) | - |
| Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Через отверстие |
| Пакет/случай | Руководства краткости TO-251-3, IPak, TO-251AA |
| Пакет прибора поставщика | Я-Пак |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Упаковка STGD5NB120SZ-1
Обнаружение
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable