Отправить сообщение
Домой > Products > Силовой модуль БТИЗ > Транзисторы IGBTs модуля силы IRG8CH42K10F IGBT одиночное

Транзисторы IGBTs модуля силы IRG8CH42K10F IGBT одиночное

Категория:
Силовой модуль БТИЗ
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
IRG8CH42K10F
Изготовитель:
Технологии Infineon
Описание:
IGBT 1200V 40A УМИРАЮТ
Категория:
Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья:
Транзисторы - IGBTs - одиночные
Введение

Спецификации IRG8CH42K10F

Состояние части Устарелый
Тип IGBT -
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) 1200V
Настоящий - сборник (Ic) (Макс) -
Настоящий - пульсированный сборник (Icm) -
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Сила - Макс -
Переключая энергия -
Тип входного сигнала Стандарт
Обязанность ворот 230nC
Td (включено-выключено) @ 25°C 40ns/240ns
Условие испытаний 600V, 40A, 5 омов, 15V
Обратное время восстановления (trr) -
Рабочая температура -40°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай Умрите
Пакет прибора поставщика Умрите
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка IRG8CH42K10F

Обнаружение

Транзисторы IGBTs модуля силы IRG8CH42K10F IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы IRG8CH42K10F IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы IRG8CH42K10F IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы IRG8CH42K10F IGBT одиночное

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable