|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер детали: | SI5908DC-T1-GE3 | Изготовитель: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 | Категория: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы |
| Семья: | Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы | Серия: | TrenchFET® |
| Состояние части | Активный |
|---|---|
| Тип FET | N-канал 2 (двойной) |
| Особенность FET | Ворота уровня логики |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 20V |
| Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 4.4A |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 1V @ 250µA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | - |
| Сила - Макс | 1.1W |
| Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
| Пакет/случай | 8-SMD, плоское руководство |
| Пакет прибора поставщика | ChipFET™ 1206-8 |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Контактное лицо: Darek
Телефон: +8615017926135
