Отправить сообщение
Домой > Products > Полевой транзистор > Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MMBFJ310LT3G

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MMBFJ310LT3G

Категория:
Полевой транзистор
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
MMBFJ310LT3G
Изготовитель:
НА полупроводнике
Описание:
JFET N-CH 25V 60MA SOT23
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Введение

Спецификации MMBFJ310LT3G

Состояние части Активный
Тип транзистора N-канал JFET
Частота -
Увеличение -
Напряжение тока - тест -
Настоящая оценка 60mA
Диаграмма шума -
Настоящий - тест -
Сила - выход -
Расклассифицированное напряжение тока - 25V
Пакет/случай TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прибора поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка MMBFJ310LT3G

Обнаружение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MMBFJ310LT3GОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MMBFJ310LT3GОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MMBFJ310LT3GОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля MMBFJ310LT3G

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable