Отправить сообщение
Домой > продукты > Полевой транзистор > MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3018SFG-13 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3018SFG-13 одиночные

Категория:
Полевой транзистор
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Описание:
MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
Номер детали:
DMN3018SFG-13
Изготовитель:
Включаемые диоды
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Введение

Спецификации DMN3018SFG-13

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 8.5A (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 4.5V, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.1V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 697pF @ 15V
Vgs (Макс) ±25V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 1W (животики)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 21 mOhm @ 10A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика PowerDI3333-8
Пакет/случай 8-PowerWDFN
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка DMN3018SFG-13

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3018SFG-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3018SFG-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3018SFG-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN3018SFG-13 одиночные

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable