Отправить сообщение
Домой > продукты > Полевой транзистор > MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2N7002L одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2N7002L одиночные

Категория:
Полевой транзистор
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Описание:
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
Номер детали:
2N7002L
Изготовитель:
Полупроводник Fairchild/ON
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Введение

Спецификации 2N7002L

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 60V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 115mA (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 5V, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.5V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 50pF @ 25V
Vgs (Макс) ±20V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 200mW (животики)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 7,5 ома @ 500mA, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика SOT-23-3
Пакет/случай TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка 2N7002L

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2N7002L одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2N7002L одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2N7002L одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2N7002L одиночные

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable