Отправить сообщение
Домой > продукты > Полевой транзистор > MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SN7002WH6327XTSA1 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SN7002WH6327XTSA1 одиночные

Категория:
Полевой транзистор
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
SN7002WH6327XTSA1
Изготовитель:
Технологии Infineon
Описание:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Серия:
SIPMOS®
Введение

Спецификации SN7002WH6327XTSA1

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 60V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 230mA (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 4.5V, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1.8V @ 26µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 45pF @ 25V
Vgs (Макс) ±20V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 500mW (животики)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 5 омов @ 230mA, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика PG-SOT323-3
Пакет/случай SC-70, SOT-323
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка SN7002WH6327XTSA1

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SN7002WH6327XTSA1 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SN7002WH6327XTSA1 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SN7002WH6327XTSA1 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SN7002WH6327XTSA1 одиночные

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable