Отправить сообщение
Домой > Products > Полевой транзистор > MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SIHA21N65EF-E3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SIHA21N65EF-E3 одиночные

Категория:
Полевой транзистор
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
SIHA21N65EF-E3
Изготовитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET N-CH 650V 21A TO-220
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Введение

Спецификации SIHA21N65EF-E3

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 650V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 21A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 106nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 2322pF @ 100V
Vgs (Макс) ±30V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 35W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Через отверстие
Пакет прибора поставщика Полный пакет TO-220
Пакет/случай Полный пакет TO-220-3
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка SIHA21N65EF-E3

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SIHA21N65EF-E3 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SIHA21N65EF-E3 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SIHA21N65EF-E3 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SIHA21N65EF-E3 одиночные

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable