Отправить сообщение
Домой > Products > Полевой транзистор > BUK9675-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

BUK9675-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

Категория:
Полевой транзистор
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
BUK9675-100A, 118
Изготовитель:
Nexperia США Inc.
Описание:
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Серия:
Автомобильный, AEC-Q101, TrenchMOS™
Введение

BUK9675-100A, 118 спецификаций

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 100V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 23A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 5V, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 2V @ 1mA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1704pF @ 25V
Vgs (Макс) ±15V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 99W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 72 mOhm @ 10A, 10V
Рабочая температура -55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика D2PAK
Пакет/случай TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

BUK9675-100A, 118 упаковывая

Обнаружение

BUK9675-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночныхBUK9675-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночныхBUK9675-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночныхBUK9675-100A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable