logo
Отправить сообщение
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Домой
продукты
производителей
О нас
Ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Домой>продукты>

fet field effect transistor

Фильтры
Категории
Фильтры

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5001)

Полевой транзистор

(1839)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)
Keywords   [ fet field effect transistor ]  Match 1597 продукты.
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети

Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264
AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel

AO4459 Транзистор с эффектом поля 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FETs Single P Channel
AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P

AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P
FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS

FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS
Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная

Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3512K2
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CE3514M4
Свяжитесь с нами
Адрес: ST MONGKOKKL КОРОЛЯ COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO
Электронная почта: Vicky@kz-chipforum.com
Телефон: 86--15218629016
продукты

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Сетноой-аналогов амортизатор IC

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

Полевой транзистор

Силовой модуль БТИЗ

Триод диода

Общецелевой конденсатор

Connectors Interconnects

Индуктор силы SMD
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Качество Китая хорошее Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 integratedcircuitsics.com . Все права Зарезервированный.