Отправить сообщение
english français Deutsch Italiano русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Домой
продукты
производителей
О нас
Ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Домой>продукты>

power mosfet transistor

Фильтры
Категории
Фильтры

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5001)

Полевой транзистор

(1839)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)
Keywords   [ power mosfet transistor ]  Match 1608 продукты.
Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet

Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet
BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля

BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля
Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети
Infineon Technologies Mosfet Одиночные транзисторы силового модуля IGBT 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF

Infineon Technologies Mosfet Одиночные транзисторы силового модуля IGBT 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF
Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения

Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения
Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные
Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A транзистора полупроводника SPW35N60C3 силы IGBT CoolMOS дискретный

Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A транзистора полупроводника SPW35N60C3 силы IGBT CoolMOS дискретный
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet

Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet
BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля

BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля
Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети
Infineon Technologies Mosfet Одиночные транзисторы силового модуля IGBT 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF

Infineon Technologies Mosfet Одиночные транзисторы силового модуля IGBT 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF
Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения

Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения
Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные
Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A транзистора полупроводника SPW35N60C3 силы IGBT CoolMOS дискретный

Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A транзистора полупроводника SPW35N60C3 силы IGBT CoolMOS дискретный
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264
Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная

Маркировка A2 Fets N-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3402 одиночная
Силовые транзисторы IRG7PH42UDPBF IGBT 1200V 85A 320W TO247AC Infineon Technologies 7PH42 Mosfet

Силовые транзисторы IRG7PH42UDPBF IGBT 1200V 85A 320W TO247AC Infineon Technologies 7PH42 Mosfet
N-канал 600В, 0.065 Ω, 40A Мощность MOSFET в пакете TO-247 STW48N60DM2 Транзистор с эффектом поля

N-канал 600В, 0.065 Ω, 40A Мощность MOSFET в пакете TO-247 STW48N60DM2 Транзистор с эффектом поля
390V 20A 125W IGBT Power Module NGD8205ANT4G Логический ввод типа 8205 Mosfet

390V 20A 125W IGBT Power Module NGD8205ANT4G Логический ввод типа 8205 Mosfet
Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети

Обломок 75V 170A Mosfet транзистора влияния поля силы IRFS3207Z для защиты сети
Инфракрасн Mosfet канала транзистора влияния поля 60V IRFB3206PBF одиночное n

Инфракрасн Mosfet канала транзистора влияния поля 60V IRFB3206PBF одиночное n
Альфа MOSFETs тиристора диода AOD4186 и FETs одиночное N-CH 40V 10A TO252 D4186 полупроводника омеги

Альфа MOSFETs тиристора диода AOD4186 и FETs одиночное N-CH 40V 10A TO252 D4186 полупроводника омеги
AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P

AO4616 Транзистор с эффектом поля SOP8 SOIC8 MOS FETs Одноканал N+P
FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS

FET новое первоначальное 68mΩ 290W MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 SLH60R080SS
TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

TPN1R603PL,L1Q Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
TPHR9203PL, MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля L1Q одиночные

TPHR9203PL, MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля L1Q одиночные
TPH2R506PL, MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля L1Q одиночные

TPH2R506PL, MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля L1Q одиночные
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9060S

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9060S
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTMFS5C430NT1G одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTMFS5C430NT1G одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTMFS5C426NT1G одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTMFS5C426NT1G одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD18514Q5AT одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD18514Q5AT одиночные
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85006L-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD85006L-E
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля C3M0120100K одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля C3M0120100K одиночные
Типы пакетов STGW45HF60WDI IGBT 600V 70A 250W TO247 Пакет Новый оригинальный заводской 45HF60 MOSFET

Типы пакетов STGW45HF60WDI IGBT 600V 70A 250W TO247 Пакет Новый оригинальный заводской 45HF60 MOSFET
PH2925U, 115 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PH2925U, 115 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
PSMN1R5-30YL, 115 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN1R5-30YL, 115 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
PSMN1R2-30YLDX Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

PSMN1R2-30YLDX Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
PSMN1R5-25YL, 115 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN1R5-25YL, 115 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SD4933MR

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SD4933MR
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60170D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60170D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH09120F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH09120F
(TE85L, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK291

(TE85L, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK291
(TE85R, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK292

(TE85R, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK292
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH60030D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH60030D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH60060D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH60060D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9060F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9060F
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH27030F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH27030F
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV40320D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV40320D
CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF151G

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF151G
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF1501

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF1501
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF477FL

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF477FL
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60040D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60040D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1J025D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1J025D
1 2 3 4 5 6 7 8
Свяжитесь с нами
Адрес: ST MONGKOKKL КОРОЛЯ COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO
Электронная почта: Vicky@kz-chipforum.com
Телефон: 86--15218629016
продукты

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Сетноой-аналогов амортизатор IC

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

Полевой транзистор

Силовой модуль БТИЗ

Триод диода

Общецелевой конденсатор

Connectors Interconnects

Индуктор силы SMD
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Качество Китая хорошее Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 integratedcircuitsics.com . Все права Зарезервированный.