logo
Отправить сообщение
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Домой
продукты
производителей
О нас
Ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Домой>продукты>

power mosfet transistor

Фильтры
Категории
Фильтры

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5001)

Полевой транзистор

(1839)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)
Keywords   [ power mosfet transistor ]  Match 1608 продукты.
Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet

Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet
BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля

BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля
Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети
Infineon Technologies Mosfet Одиночные транзисторы силового модуля IGBT 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF

Infineon Technologies Mosfet Одиночные транзисторы силового модуля IGBT 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF
Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения

Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения
Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные
Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A транзистора полупроводника SPW35N60C3 силы IGBT CoolMOS дискретный

Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A транзистора полупроводника SPW35N60C3 силы IGBT CoolMOS дискретный
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
PSMN3R0-60BS, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN3R0-60BS, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STFI4N62K3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STFI4N62K3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STP10NM65N одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STP10NM65N одиночные
PSMN5R6-100BS, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN5R6-100BS, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
PSMN7R0-100PS, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN7R0-100PS, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
STF12NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

STF12NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STP78N75F4 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STP78N75F4 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU5N62K3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU5N62K3 одиночные
PSMN6R5-80PS, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN6R5-80PS, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PSMN7R8-100PSEQ одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PSMN7R8-100PSEQ одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SIHF10N40D-E3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SIHF10N40D-E3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU6N62K3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU6N62K3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STL100N6LF6 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STL100N6LF6 одиночные
PSMN070-200B, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN070-200B, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STK822 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STK822 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB32NM50N одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB32NM50N одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF130N10F3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STF130N10F3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STP15NM65N одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STP15NM65N одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SPU01N60C3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SPU01N60C3 одиночные
BUK9606-55B, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

BUK9606-55B, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
BUK9608-55A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

BUK9608-55A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU80N4F6 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU80N4F6 одиночные
PSMN4R6-60BS, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN4R6-60BS, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU1HN60K3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU1HN60K3 одиночные
PSMN3R4-30BLE, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN3R4-30BLE, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STL60NH3LL одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STL60NH3LL одиночные
PHB47NQ10T, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PHB47NQ10T, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
BUK7608-55A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

BUK7608-55A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
PSMN9R5-100PS, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN9R5-100PS, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRFU420PBF одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRFU420PBF одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB7N52K3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STB7N52K3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STD2NK60Z-1 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STD2NK60Z-1 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRFR014PBF одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRFR014PBF одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD18533Q5AT одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CSD18533Q5AT одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU2LN60K3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU2LN60K3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU5N52K3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU5N52K3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU60N55F3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU60N55F3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU4N52K3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STU4N52K3 одиночные
BUK662R4-40C, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

BUK662R4-40C, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRFU1205PBF одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRFU1205PBF одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRFU320PBF одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRFU320PBF одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STD8NM60ND одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STD8NM60ND одиночные
PHB45NQ10T, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PHB45NQ10T, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
BUK9606-55A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

BUK9606-55A, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
PSMN017-80PS, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN017-80PS, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
BUK661R6-30C, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

BUK661R6-30C, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
PSMN1R6-30BL, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN1R6-30BL, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
BUK763R9-60E, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

BUK763R9-60E, 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
PSMN3R4-30PL, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных

PSMN3R4-30PL, 127 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля одиночных
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STS5N15F3 одиночные
6 7 8 9 10 11 12 13
Свяжитесь с нами
Адрес: ST MONGKOKKL КОРОЛЯ COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO
Электронная почта: Vicky@kz-chipforum.com
Телефон: 86--15218629016
продукты

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Сетноой-аналогов амортизатор IC

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

Полевой транзистор

Силовой модуль БТИЗ

Триод диода

Общецелевой конденсатор

Connectors Interconnects

Индуктор силы SMD
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Качество Китая хорошее Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 integratedcircuitsics.com . Все права Зарезервированный.