logo
Отправить сообщение
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Домой
продукты
производителей
О нас
Ресурсы
Отправьте RFQ
загрузка
Домой>продукты>

power mosfet transistor

Фильтры
Категории
Фильтры

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5001)

Полевой транзистор

(1839)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)
Keywords   [ power mosfet transistor ]  Match 1608 продукты.
Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet

Полупроводники приводят канал в действие STB24N60DM2 n транзистора Mosfet
BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля

BLDC едет на автомобиле Mosfet IPB017N10N5 Infineon силы транзистора влияния поля
Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети
Infineon Technologies Mosfet Одиночные транзисторы силового модуля IGBT 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF

Infineon Technologies Mosfet Одиночные транзисторы силового модуля IGBT 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF
Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения

Полупроводниковые устройства Mosfet STP110N8F6 дискретные для переключать применения
Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные
Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT
Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A транзистора полупроводника SPW35N60C3 силы IGBT CoolMOS дискретный

Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A транзистора полупроводника SPW35N60C3 силы IGBT CoolMOS дискретный
AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8

AO4266E Транзистор с эффектом поля N-Channel 60V 11A Мосфет с одной поверхностью SOP8
ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RV2C001ZPT2L одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RV2C001ZPT2L одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IPD70P04P409ATMA1 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IPD70P04P409ATMA1 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3LN01SS-TL-E одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3LN01SS-TL-E одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3LP01SS-TL-E одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3LP01SS-TL-E одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2N7002E-T1-GE3 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2N7002E-T1-GE3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN66D0LW-7 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN66D0LW-7 одиночные
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60170D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60170D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH09120F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH09120F
(TE85L, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK291

(TE85L, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK291
(TE85R, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK292

(TE85R, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 3SK292
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9045S

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9045S
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9045

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9045
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH60030D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH60030D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH60060D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH60060D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9060F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9060F
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH27030F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH27030F
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV40320D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV40320D
CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF151G

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF151G
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF1501

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF1501
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF477FL

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF477FL
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60040D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60040D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1J025D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1J025D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF2933

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF2933
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH27060F

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGH27060F
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF152

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF152
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля UF2840G

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля UF2840G
UF28150J Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

UF28150J Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF463AP1G

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF463AP1G
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF141

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля VRF141
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF461AG

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF461AG
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF463AG

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ARF463AG
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1J006D

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV1J006D
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60075D5

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV60075D5
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9060C

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET9060C
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET20045C

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля LET20045C
(TE12L, q) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2SK4037

(TE12L, q) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2SK4037
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RFM01U7P (TE12L, f)

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля RFM01U7P (TE12L, f)
(TE12L, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2SK3756

(TE12L, f) обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля 2SK3756
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ON5258,215

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ON5258,215
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV35060MP

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля CGHV35060MP
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля APTM100H45SCTG

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля APTM100H45SCTG
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT3120ALGC11 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT3120ALGC11 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT3160KLGC11 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT3160KLGC11 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля C3M0075120K одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля C3M0075120K одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT3060ALGC11 одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT3060ALGC11 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT2750NYTB одиночные

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SCT2750NYTB одиночные
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-E3

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-E3
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BUK7K6R2-40EX

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BUK7K6R2-40EX
9 10 11 12 13 14 15 16
Свяжитесь с нами
Адрес: ST MONGKOKKL КОРОЛЯ COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO
Электронная почта: Vicky@kz-chipforum.com
Телефон: 86--15218629016
продукты

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Сетноой-аналогов амортизатор IC

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

Полевой транзистор

Силовой модуль БТИЗ

Триод диода

Общецелевой конденсатор

Connectors Interconnects

Индуктор силы SMD
О нас
О нас Сертификат ISO Контроль качества Политика конфиденциальности Центр помощи
Политика конфиденциальности | Качество Китая хорошее Интегральные микросхемы Поставщик. © авторского права 2023-2025 integratedcircuitsics.com . Все права Зарезервированный.